美國主要存儲器公司美光財報顯示，6月至8月其銷售額為77.5 億美元，比上一季度增長了 14%，比去年同期增長了 93%。美光公司認為，“存儲器的供需平衡由于 HBM（高帶寬存儲器） 比例的增加以及向下一代 NAND 工藝的過渡，明年的行業將會健康發展。”然而，半導體行業最近卻提出了存儲器市場不確定性進一步增加的擔憂，除人工智能（AI）之外的通用存儲器需求持續低迷，中國后來者正在積極擴大產量，存儲市場的未來正在引發擔憂。

關于存儲市場2025年的市場預測，這里進行簡單分析。

一、市場規模

總體規模增長：

據2024年6月份世界半導體貿易統計協會（WSTS）數據，2024—2025年全球半導體市場規模為6112億、6874億美元，其中存儲芯片市場規模分別為1632億、2043億美元，占比約27%、30%，增速或遠高于其他半導體品類。

細分市場：

今年以來，存儲芯片市場出現明顯分化，人工智能產業發展帶動先進存儲產品需求強勢增長，但應用在消費級產品上的存儲產品需求尚未明顯拉動。隨著生成式人工智能的發展，海量數據對存儲提出了更高的需求，以HBM、大容量SSD為代表的高性能先進存儲產品需求激增。TrendForce集邦咨詢資深研究副總經理吳雅婷表示，展望2025年，HBM產品價格有望繼續上漲，目前部分供應商已經完成2025年年度合約價商談，預計產品價格同比上漲約10%。

二、技術發展

先進存儲技術推進：

我國多家存儲芯片廠商正持續加大研發投入，推動產品走向高端化，向先進存儲邁進。例如佰維SP506/516系列企業級PCle5.0 SSD產品，采用創新的SSD控制器芯片架構，可實現超低且一致的讀寫延遲，具備優秀的能效比表現；時創意的SCY系列高性能嵌入式閃存產品1TB UFS 3.1已經進入量產，其高端存儲解決方案在不斷迭代。

三維新型存儲芯片：

古鰲科技預計2025年子公司新存科技將實現三維新型存儲芯片模組的量產，該芯片主要應用于工業領域，具有差異化競爭優勢。

三、價格走勢

HBM等先進存儲產品價格上漲：

由于人工智能對高性能存儲的需求持續旺盛，而供給相對有限，HBM等先進存儲產品價格有望繼續攀升，預計2025年同比上漲約10%。

DRAM價格下跌：

根據市場研究公司Trend Force的數據，因制程較成熟的DDR4和LPDDR4X供應充足、需求減弱，其價格已呈現跌勢，9月底通用DRAM產品固定交易價格環比下跌17.07%，從9月份開始，NAND價格連續三個月下跌兩位數。預計2025年這種跌勢仍將持續，上半年的跌幅會更明顯。

四、市場競爭格局

國產替代加速：

隨著國內以長鑫存儲和長江存儲為主的芯片企業不斷崛起，我國存儲芯片的自給率將逐步提升，2027年有望達到26.6%，這將進一步擠壓國外存儲芯片廠商在中國市場的份額，存儲芯片市場的國產替代空間巨大。

企業競爭加劇：

全球存儲芯片市場競爭激烈，各企業紛紛加大研發投入、擴大產能以爭奪市場份額。如江波龍的企業級存儲業務不斷取得突破，持續開拓多個大型云服務提供商客戶；兆易創新作為全球第一的無晶圓廠Flash供應商，其存儲芯片業務也有望在2025年繼續保持增長態勢。